制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOT-26-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4.6 A, 3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms, 74 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:3.6 nC, 5.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:3.6 ns, 18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns, 7.8 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.5 ns, 31 ns

典型接通延迟时间:2.6 ns, 3.2 ns