制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOT-26-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4 A, 3.3 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms, 70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V, 8 V

Qg-栅极电荷:10.5 nC, 6.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:3.1 ns, 22.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.3 ns, 15.5 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.2 ns, 38.5 ns

典型接通延迟时间:2.6 ns, 4.4 ns

单位重量:13 mg