FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.7A，3.2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 4.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：713pF @ 10V

功率 - 最大值：1.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：U-DFN2020-6（B 类）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs