制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:U-DFN2020-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:6 A, 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms, 75 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV, 1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V, 8 V

Qg-栅极电荷:12.3 nC, 8.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:9.3 ns, 13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.4 ns, 34.1 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17.6 ns, 34.3 ns

典型接通延迟时间:3.4 ns, 22.6 ns

单位重量:6.500 mg