制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:13 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:0.75 A

输出功率:9 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:440109

封装:Tray

应用:-

配置:Single

高度:2.79 mm

长度:4.19 mm

工作频率:2 GHz to 6 GHz

工作温度范围:-

产品:GaN HEMT

宽度:5.21 mm

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:-

闸/源截止电压:-

类:-

开发套件:CGH40006P-TB

下降时间:-

NF—噪声系数:-

P1dB - 压缩点:-

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:-

上升时间:-

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

典型关闭延迟时间:-

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V