CGH27030S的供应商，CGH27030S规格参数，CGH27030S的PDF资料

CGH27030S /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

CGH27030S的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:18 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:84 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流:7 A

输出功率:30 W

最大漏极/栅极电压:28 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:21.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

应用:Telecom

配置:Single

工作频率:2.7 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

商标:Wolfspeed / Cree

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V

CGH27030S的供应商,可免费索样

CGH27030S及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
CGH27030S	30 W, DC - 6.0 GHz, 28 V, GaN HEMT	CREE[Cree, Inc]	1218.87 Kbytes	共16页	无
CGH27030S-AMP1	30 W, DC - 6.0 GHz, 28 V, GaN HEMT	CREE[Cree, Inc]	1218.87 Kbytes	共16页	无
CGH27030S-AMP2	30 W, DC - 6.0 GHz, 28 V, GaN HEMT	CREE[Cree, Inc]	1218.87 Kbytes	共16页	无
CGH27030S-TR	30 W, DC - 6.0 GHz, 28 V, GaN HEMT	CREE[Cree, Inc]	1218.87 Kbytes	共16页	无

CGH27030S的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	CGH27030S-AMP1	Cree/Wolfspeed	AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S	$686.41000
Mouser 贸泽电子	CGH27030S	Wolfspeed / Cree	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt	1:¥404.1784 250:¥404.1784

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