CGH27060F的供应商，CGH27060F规格参数，CGH27060F的PDF资料

CGH27060F /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt

CGH27060F的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:14 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流:14 A

输出功率:60 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:56 W

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:440193

封装:Tray

应用:Telecom

配置:Single

工作频率:2.7 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

商标:Wolfspeed / Cree

NF—噪声系数:4 dB

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

CGH27060F的供应商,可免费索样

CGH27060F及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
CGH27060F	60 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX	CREE[Cree, Inc]	824.02 Kbytes	共8页	CGH27015F,CGH27030F,B5011,B5033,MAS1178,MAS9275,B4059,B4152,B4226,B4846
CGH27060F_15	60 W Peak, 28V, GaN HEMT for Linear Communications from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1631.41 Kbytes	共12页	无
CGH27060F-AMP	60 W Peak, 28V, GaN HEMT for Linear Communications from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1631.41 Kbytes	共12页	无
CGH27060F-TB	60 W Peak, 28V, GaN HEMT for Linear Communications from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1631.41 Kbytes	共12页	无

CGH27060F的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	CGH27060F	Wolfspeed / Cree	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt	1:¥1,206.8513

CGH27060F的相关型号