CGH27030F的供应商，CGH27030F规格参数，CGH27030F的PDF资料

CGH27030F /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt

CGH27030F的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:15 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流:7 A

输出功率:30 W

最大漏极/栅极电压:28 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:14 W

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:440196

封装:Tray

应用:Telecom

配置:Single

工作频率:2.7 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

商标:Wolfspeed / Cree

NF—噪声系数:3 dB

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V

CGH27030F的供应商,可免费索样

CGH27030F及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
CGH27030F	30 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX	CREE[Cree, Inc]	791.29 Kbytes	共8页	CGH27015F,B5011,B5033,LMV221,MAS9276,B4060,B4154,B4228,B4864,B4957
CGH27030F	30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1142.6 Kbytes	共12页	无
CGH27030F_15	30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1142.6 Kbytes	共12页	无
CGH27030F-AMP	30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1142.6 Kbytes	共12页	无
CGH27030F-AMP	30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1142.6 Kbytes	共12页	无
CGH27030F-TB	30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1142.6 Kbytes	共12页	无
CGH27030F-TB	30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz	CREE[Cree, Inc]	1142.6 Kbytes	共12页	无

CGH27030F的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	CGH27030F	Wolfspeed / Cree	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt	1:¥699.6282

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