通道类型：P

最大连续漏极电流：8 A

最大漏源电压：160 V

最大漏源电阻值：1.5 0hms

最大栅阈值电压：1.5V

最大栅源电压：-14 V、+14 V

封装类型：TO-247

安装类型：通孔

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：125 W

典型接通延迟时间：120 ns

典型关断延迟时间：60 ns

典型输入电容值@Vds：734 pF @ 10 V

晶体管材料：Si

每片芯片元件数目：1

宽度：2.49mm

长度：16.26mm

高度：21.46mm

尺寸：16.26 x 2.49 x 21.46mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs