通道类型：P

最大连续漏极电流：16 A

最大漏源电压：160 V

最大栅阈值电压：1.5V

最大栅源电压：-14 V、+14 V

封装类型：TO-3PBL

安装类型：通孔

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：250 W

每片芯片元件数目：1

最高工作温度：+150 °C

长度：20mm

尺寸：20 x 5 x 26mm

高度：26mm

典型关断延迟时间：110 ns

典型接通延迟时间：150 ns

宽度：5mm

晶体管材料：Si

无铅情况/RoHs：否