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BUZ905 /Magnatec Si P沟道 MOSFET BUZ905, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
BUZ905的规格信息
BUZ905的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：P

最大连续漏极电流：8 A

最大漏源电压：160 V

最大栅阈值电压：1.5V

最大栅源电压：-14 V、+14 V

封装类型：TO-3

安装类型：通孔

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：125 W

典型接通延迟时间：120 ns

典型关断延迟时间：60 ns

晶体管材料：Si

宽度：25mm

最高工作温度：+150 °C

长度：39mm

高度：8.7mm

尺寸：39 x 25 x 8.7mm

每片芯片元件数目：1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

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RS Components		BUZ905DPTT Electronics Power and Hybrid / Semelab LimitedMOSFET P-Channel 160V 16A TO-3PBL价格未公开
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RS Components		BUZ905PTT Electronics Power and Hybrid / Semelab LimitedMOSFET P-Channel 160V 8A TO-247价格未公开
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