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BUZ900P /SEMELAB  BUZ900P  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 160 V, 1.5 ohm, 1.5 V
BUZ900P的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-247

引脚数:3

功耗:125 W

极性:N-Channel

漏源极电压(Vds):160 V

连续漏极电流(Ids):8.00 A

安装方式:Through Hole

REACH SVHC标准:No SVHC

RoHS标准:Compliant

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