FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1900pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 13.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO263-3

封装/外壳：PG-TO263-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：21 A

最大漏源电压：200 V

最大漏源电阻值：130 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2.1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：125 W

长度：10.31mm

高度：4.57mm

尺寸：10.31 x 9.45 x 4.57mm

最低工作温度：-55 °C

系列：SIPMOS

晶体管材料：Si

典型输入电容值@Vds：1400 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：250 ns

典型接通延迟时间：30 ns

每片芯片元件数目：1

最高工作温度：+150 °C

宽度：9.45mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs