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BUZ11A /SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ11A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压50 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流26 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.055 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 175 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-220

封装Tube

下降时间20 ns

最小工作温度- 65 C

功率耗散75 W

上升时间95 ns

工厂包装数量50

典型关闭延迟时间50 ns

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