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BUZ30AH / MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
BUZ30AH的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:21 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 594 C

Pd-功率耗散:125 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

商标:Infineon Technologies

配置:Single

最小工作温度:- 55 C

系列:BUZ30

工厂包装数量:500

商标名:SIPMOS

零件号别名:BUZ30AHXK BUZ30AHXKSA1 SP000682990

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BUZ30AHInfineon Technologies Americas Inc.- Rail/Tube500 : $0.852
999 : $0.7242
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BUZ30AHInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 21A TO220-3$0.68000
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BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 21A TO220-3Obsolete
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BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesPFET, 21A I(D), 200V, 0.13OHM, 1$0.69000
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