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BUZ11_NR4941 /ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
BUZ11_NR4941的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:30 A

最大漏源电压:50 V

最大漏源电阻值:40 m0hms

最小栅阈值电压:2.1V

最大栅源电压:-20 V、+20 V

封装类型:TO-220AB

安装类型:通孔

引脚数目:3

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:75 W

高度:16.51mm

典型输入电容值@Vds:1500 pF@ 25 V

宽度:4.83mm

典型接通延迟时间:30 ns

典型关断延迟时间:180 ns

晶体管材料:Si

每片芯片元件数目:1

最高工作温度:+150 °C

长度:10.67mm

尺寸:10.67 x 4.83 x 16.51mm

最低工作温度:-55 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商BUZ11_NR4941
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