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BSZ440N10NS3G / MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ440N10NS3G的规格信息
BSZ440N10NS3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:5.3 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:29 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:2 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:1.8 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:9.1 ns

典型接通延迟时间:4.3 ns

零件号别名:BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GXT SP000482442

供应商BSZ440N10NS3G
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BSZ440N10NS3GInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $0.2938
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BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON$0.88000
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Mouser 贸泽电子
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥6.6105
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100:¥4.3618
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5,000:¥2.7007
10,000:查看
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Rochester Electronics
BSZ440N10NS3GInfineon Technologies AGN/A500 : $0.38
1,000 : $0.36
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立创商城
BSZ440N10NS3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 12uA 漏源导通电阻:44mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.22
10+:¥6.05
30+:¥5.94
100+:¥5.82