FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.9A(Ta),31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):840pF @ 20V
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 20A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TSDSON-8
封装/外壳:PG-TSDSON-8
通道类型:N
最大连续漏极电流:31 A
最大漏源电压:40 V
最大漏源电阻值:16.5 m0hms
最大栅阈值电压:4V
最小栅阈值电压:2V
最大栅源电压:-20 V、+20 V
封装类型:TSDSON
引脚数目:8
晶体管配置:单
通道模式:增强
最大功率耗散:25 W
晶体管材料:Si
典型栅极电荷@Vgs:7.8 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds:630 pF @ 20 V
典型关断延迟时间:6.8 ns
典型接通延迟时间:5.4 ns
系列:OptiMOS 3
每片芯片元件数目:1
最低工作温度:-55 °C
宽度:3.4mm
最高工作温度:+150 °C
高度:1.1mm
尺寸:3.4 x 3.4 x 1.1mm
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs