FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 13µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：430pF @ 100V

功率耗散（最大值）：33.8W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：425 毫欧 @ 2.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TSDSON-8

封装/外壳：PG-TSDSON-8

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V

通道类型：N

最大连续漏极电流：5 A

最大漏源电压：250 V

最大漏源电阻值：425 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TSDSON

引脚数目：8

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：33.8 W

高度：1.1mm

尺寸：3.4 x 3.4 x 1.1mm

每片芯片元件数目：1

系列：OptiMOS 3

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：4.2 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：320 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：8 ns

典型接通延迟时间：3 ns

宽度：3.4mm

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs