制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TSDSON-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5.1 A, 3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms, 150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV, 1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:2.1 nC, - 3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:5.5 S, 3.4 S

下降时间:1.4 ns, 4.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns, 3.7 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.2 ns, 11.3 ns

典型接通延迟时间:4.9 ns, 7.4 ns

零件号别名:BSZ15DC02KD H SP000961028

单位重量:32 mg