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BSZ123N08NS3G / MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3G的规格信息
BSZ123N08NS3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:10 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:12.3 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:4 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:18 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GXT SP000443632

供应商BSZ123N08NS3G
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