数据列表：BSZ12DN20NS3G

标准包装：5,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.3A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 5.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：8.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：680pF @ 100V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

其它名称：BSZ12DN20NS3 GBSZ12DN20NS3GATMA1BSZ12DN20NS3GTRSP000781784