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BSZ058N03MSGXT /MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ058N03MSGXT的规格信息
BSZ058N03MSGXT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:35 S

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:BSZ058N03MS BSZ058N03MSGATMA1 G SP000311508

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BSZ058N03MSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.3391