FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.8nC @ 7V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：68pF @ 10V
FET 功能：耗尽模式
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 170mA，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-SOT23-3
封装/外壳：TO-236-3
通道类型：N
最大连续漏极电流：90 mA
最大漏源电压：100 V
最大漏源电阻值：12 0hms
最大栅阈值电压：1.8V
最小栅阈值电压：2.9V
最大栅源电压：-20 V、+20 V
封装类型：SOT-23
晶体管配置：单
引脚数目：3
通道模式：增强
类别：小信号
最大功率耗散：360 mW
高度：1mm
尺寸：2.9 x 1.3 x 1mm
系列：SIPMOS
每片芯片元件数目：1
晶体管材料：Si
典型栅极电荷@Vgs：2.1 nC @ 7 V
典型输入电容值@Vds：51 pF @ 25 V
典型关断延迟时间：11 ns
典型接通延迟时间：2.9 ns
宽度：1.3mm
最高工作温度：+150 °C
最低工作温度：-55 °C
长度：2.9mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs