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BSO615NG / MOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-8
BSO615NG的规格信息
BSO615NG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:2.6 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Dual Dual Drain

下降时间:15 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:15 ns

系列:BSO615

工厂包装数量:2500

商标名:SIPMOS

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:BSO615NGHUMA1 BSO615NGXT SP000216316

供应商BSO615NG
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSO615NGwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司BSO615NG深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市宇浩扬科技有限公司BSO615NG深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市清腾科技有限公司BSO615NGXUMA1深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司BSO615NGHUMA1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司BSO615NG深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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BSO615NGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel2,500 : $0.4632
4,999 : $0.3127
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Chip One Exchange
BSO615NGInfineon Technologies AG价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
BSO615NGHUMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOICObsolete
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Digi-Key 得捷电子
BSO615NGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 8-SOIC$1.10000
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Mouser 贸泽电子
BSO615NGHUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-81:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
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2,500:¥2.9606
10,000:查看
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Rochester Electronics
BSO615NGInfineon Technologies AGN/A500 : $0.47
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Wuhan P&S
BSO615NGInfineon Technologies AG60V,2.6A,N channel Power MOSFET1 : $0.87
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BSO615NGVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.7613
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