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BSO612CVG / MOSFET N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8
BSO612CVG的规格信息
BSO612CVG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:3 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DSO-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Dual Dual Drain

下降时间:30 ns, 95 ns

正向跨导 - 最小值:1.2 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:35 ns, 60 ns

系列:BSO612

工厂包装数量:2500

商标名:SIPMOS

典型关闭延迟时间:25 ns, 145 ns

典型接通延迟时间:12 ns, 15 ns

零件号别名:BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307

供应商BSO612CVG
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深圳市宇浩扬科技有限公司BSO612CVG深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市芯幂科技有限公司BSO612CVG深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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BSO612CVGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel2,500 : $0.402
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BSO612CVGHUMA1Infineon Technologies3A, 60V, 0.12OHM, 2-ELEMENT, N-$0.29328
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BSO612CVGInfineon Technologies AGN/A500 : $0.47
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BSO612CVGInfineon Technologies AG60/-60V,3/-2A,N/P channel Power MOSFET1 : $0.84
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