FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A，2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 20µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：340pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-DSO-8

供应商器件封装：PG-DSO-8

通道类型：N，P

最大连续漏极电流：2 A、3 A

最大漏源电压：60 V

最大漏源电阻值：120 m0hms，300 m0hms

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：DSO

引脚数目：8

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：小信号

最大功率耗散：2 W

尺寸：5 x 4 x 1.45mm

系列：SIPMOS

高度：1.45mm

宽度：4mm

最高工作温度：+150 °C

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：10.3 nC @ 10 V，10.5 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：275 pF@ 25 V, 320 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：25 ns, 145 ns

典型接通延迟时间：12 ns、15 ns

长度：5mm

最低工作温度：-55 °C

每片芯片元件数目：1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs