制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
商标:Infineon Technologies
Id-连续漏极电流:3.1 A, - 2 A
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms, 270 mOhms
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DSO-8
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Dual Dual Drain
下降时间:18 ns, 90 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:75 ns, 105 ns
系列:BSO615
工厂包装数量:2500
商标名:SIPMOS
典型关闭延迟时间:25 ns, 125 ns
典型接通延迟时间:16 ns, 24 ns
零件号别名:BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311