制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:分立半导体模块

RoHS:是

产品:Power Semiconductor Modules

类型:SiC Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 22 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:Module

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:BSMx

封装:Tray

配置:Half Bridge

商标:ROHM Semiconductor

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

典型延迟时间:20 ns

下降时间:40 ns

Id-连续漏极电流:80 A

Pd-功率耗散:600 W

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

上升时间:30 ns

工厂包装数量:12

子类别:Discrete Semiconductor Modules

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:20 ns

Vds-漏源极击穿电压:1200 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

零件号别名:BSM080D12P2C008