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BSH111BKR /MOSFET 55V N-channel Trench MOSFET
BSH111BKR的规格信息
BSH111BKR的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:210 mA

Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:0.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:364 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

商标:Nexperia

下降时间:4.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.6 ns

典型接通延迟时间:8.3 ns

单位重量:8 mg

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BSH111BKRMOSFET N-CH 55V 210MA TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO736.72 Kbytes共16页BSH111BKR的PDF下载地址无
BSH111BKR连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：302mW 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO736.72 Kbytes共16页BSH111BKR的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		BSH111BKRNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB$0.24000
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Mouser 贸泽电子		BSH111BKRNexperiaMOSFET 55V N-channel Trench MOSFET1:¥2.147
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1,000:¥0.42262
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立创商城		BSH111BKRNexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：302mW 类型：N沟道10+:￥0.355212
100+:￥0.265879
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