系列：TrenchMOS™
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：335mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：40pF @ 10V
Vgs（最大值）：±10V
功率耗散（最大值）：830mW（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4 欧姆 @ 500mA，4.5V
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package：TO-236AB
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：55V
连续漏极电流ID：0.335A
无铅情况/RoHs：否