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BSH103,235 /MOSFET TAPE13 MOSFET
BSH103,235的规格信息
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制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:850 mA

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:2100 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:750 mW (3/4 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel MOS Transistor

宽度:1.4 mm

商标:Nexperia

下降时间:3.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:2.5 ns

零件号别名:/T3 BSH103

单位重量:8 mg

供应商BSH103,235
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深圳市安富世纪电子有限公司BSH103,235深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
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13360063783
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13352985419,19076157484
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19854773352
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深圳市惊羽科技有限公司BSH103,235深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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BSH103,235MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO193.37 Kbytes共13页BSH103,235的PDF下载地址
BSH103,235连续漏极电流(Id)(25°C 时):850mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO193.37 Kbytes共13页BSH103,235的PDF下载地址
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BSH103,235NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥2.92
10+:¥2.3
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
BSH103,235NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET1:¥2.6894
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1,000:¥0.82942
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Mouser 贸泽电子
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立创商城
BSH103,235Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):850mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW 类型:N沟道1+:¥0.9117
10+:¥0.6891
30+:¥0.6482
100+:¥0.6074
500+:¥0.5892
1000+:¥0.5802