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BSH111,235 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
BSH111,235的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:10,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):335mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V

功率 - 最大值:830mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)

其它名称:934056036235BSH111 /T3BSH111 /T3-ND

供应商BSH111,235
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