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BSC042N03LSG / MOSFET N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042N03LSG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:93 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:4 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:4.4 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGXT SP000302864

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BSC042N03LSGInfineon TechnologiesBSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P$0.34000
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BSC042N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON$1.04000
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BSC042N03LSGInfineon Technologies AG30V,93A,N Channel Power MOSFET1 : $0.82
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1,000 : $0.53
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立创商城
BSC042N03LSGInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥7.32
10+:¥5.5
30+:¥5.16
100+:¥4.83
500+:¥4.68
1000+:¥4.61