FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：22A（Ta），84A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 12V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：PG-TDSON-8

通道类型：N

最大连续漏极电流：84 A

最大漏源电压：25 V

最大漏源电阻值：4.8 m0hms

最大栅阈值电压：2V

最小栅阈值电压：1.2V

最大栅源电压：+20 V

封装类型：TDSON

晶体管配置：单

引脚数目：8

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：37 W

典型接通延迟时间：3.3 ns

典型关断延迟时间：15 ns

典型输入电容值@Vds：1200 pF @ 12 V

典型栅极电荷@Vgs：7.7 nC @ 4.5 V

系列：OptiMOS

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

宽度：6.35mm

长度：5.35mm

高度：1.1mm

正向跨导：93S

正向二极管电压：1V

尺寸：5.35 x 6.35 x 1.1mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs