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BSC032N04LS /MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC032N04LS的规格信息
BSC032N04LS的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:98 A

Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:75 S

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:4 ns

零件号别名:BSC032N04LSATMA1 SP001067018

单位重量:100 mg

供应商BSC032N04LS
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC032N04LSwww.nowchip.com0755-27381274
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Mouser 贸泽电子
BSC032N04LSInfineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
1,000:¥4.1358
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BSC032N04LSInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥5
10+:¥3.76
30+:¥3.54
100+:¥3.31
500+:¥3.21
1000+:¥3.16