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BSC032N03SG /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSC032N03SG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:5,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta),100A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 70µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5080pF @ 15V

功率 - 最大值:78W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称:BSC032N03SGINTRBSC032N03SGXTBSC032N03SGXTINTRBSC032N03SGXTINTR-NDSP000056190

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