图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
商标:Infineon Technologies
Id-连续漏极电流:24 A
Vds-漏源极击穿电压:25 V
Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.8 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDSON-8
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single Quad Drain Triple Source
下降时间:6 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:8 ns
工厂包装数量:5000
典型关闭延迟时间:33 ns
典型接通延迟时间:7.5 ns
零件号别名:BSC029N025SGXT