FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：60pF @ 10V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-92-3

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs