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BS170_D26Z /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
BS170_D26Z的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：40pF @ 10V

功率 - 最大值：830mW

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装：TO-92-3

其它名称：BS170_D26Z-NDBS170_D26ZTRBS170D26Z

供应商BS170_D26Z
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深圳市威雅利发展有限公司BS170_D26Z华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BS170_D26Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司BS170_D26Z航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司BS170-D26Z华强北都会轩26010755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市捷芯微科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
集好芯城BS170-D26Z深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城BS170-D26Z深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司BS170-D26Z深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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BS170_D26Z及相关型号的PDF资料
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BS170-D26ZMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field EffectON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.37 Mbytes共17页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170-D26Z连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO61.83 Kbytes共4页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170_D26Z的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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20000+:￥0.41+:￥0.39
元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BS170-D26ZON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3$0.43000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BS170-D26ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1:¥2.6894
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		BS170-D26ZON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道5+:￥0.65224
50+:￥0.486134
150+:￥0.455624
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2500+:￥0.411555
5000+:￥0.404855
BS170_D26Z的相关型号
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