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BS170_D26Z /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
BS170_D26Z的规格信息
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产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：40pF @ 10V

功率 - 最大值：830mW

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装：TO-92-3

其它名称：BS170_D26Z-NDBS170_D26ZTRBS170D26Z

供应商BS170_D26Z
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BS170_D26Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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芯莱德电子（香港）有限公司BS170-D26Z深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司BS170_D26Z深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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BS170_D26Z及相关型号的PDF资料
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BS170-D26ZMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field EffectON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.37 Mbytes共17页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170-D26Z连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO61.83 Kbytes共4页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170_D26Z的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BS170-D26ZON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3$0.43000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BS170-D26ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1:¥2.6894
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		BS170-D26ZON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道5+:￥0.65224
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5000+:￥0.404855
BS170_D26Z的相关型号
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