• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
BS170_D26Z /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
BS170_D26Z的规格信息
BS170_D26Z的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：40pF @ 10V

功率 - 最大值：830mW

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装：TO-92-3

其它名称：BS170_D26Z-NDBS170_D26ZTRBS170D26Z

供应商BS170_D26Z
BS170_D26Z的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市威雅利发展有限公司BS170_D26Z华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BS170_D26Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市捷芯微科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
13725554160		陈欣Email:jxwic888@163.com询价
深圳市橙椒科技有限公司BS170_D26Z深圳市福田区华强北路宝华大厦座B座51113418830030，13418730030
13418830030，13418730030		钟小姐，王先生Email:283906751@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司BS170_D26Z航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BS170-D26Z深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司BS170-D26Z深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司BS170-D26Z深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司BS170_D26Z广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市高捷半导体有限公司BS170_D26Z深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司BS170_D26Z深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司BS170_D26Z深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市荣创芯微科技有限公司BS170_D26Z深圳市福田区华强北都会B做12N0755-82501483
15818715186		郭小姐Email:860705666@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司BS170_D26Z深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
集好芯城BS170-D26Z深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司BS170-D26Z深圳市福田区汉国中心55楼0755-82780836
13360526935		蔡泽锋Email:sam@678ic.com询价
BS170_D26Z及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
BS170-D26ZMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field EffectON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.37 Mbytes共17页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170-D26Z连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO61.83 Kbytes共4页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170_D26Z的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.65011+:￥2.6701
10+:￥1.56
100+:￥0.6699
1000+:￥0.51
2000+:￥0.44
10000+:￥0.41
24000+:￥0.41
50000+:￥0.37
100000+:￥0.361+:￥5.1999
100+:￥2.26
250+:￥1.592000+:￥0.36
6000+:￥0.3101
10000+:￥0.32000+:￥0.3499
12000+:￥0.33012000+:￥0.44
10000+:￥0.41
20000+:￥0.41+:￥0.39
元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.65011+:￥2.6701
10+:￥1.56
100+:￥0.6699
1000+:￥0.51
2000+:￥0.44
10000+:￥0.41
24000+:￥0.41
50000+:￥0.37
100000+:￥0.361+:￥5.1999
100+:￥2.26
250+:￥1.592000+:￥0.36
6000+:￥0.3101
10000+:￥0.32000+:￥0.3499
12000+:￥0.33012000+:￥0.44
10000+:￥0.41
20000+:￥0.4
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.65011+:￥2.6701
10+:￥1.56
100+:￥0.6699
1000+:￥0.51
2000+:￥0.44
10000+:￥0.41
24000+:￥0.41
50000+:￥0.37
100000+:￥0.361+:￥5.1999
100+:￥2.26
250+:￥1.592000+:￥0.36
6000+:￥0.3101
10000+:￥0.3
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.6501
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BS170-D26ZON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3$0.43000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.65011+:￥2.6701
10+:￥1.56
100+:￥0.6699
1000+:￥0.51
2000+:￥0.44
10000+:￥0.41
24000+:￥0.41
50000+:￥0.37
100000+:￥0.361+:￥5.1999
100+:￥2.26
250+:￥1.59
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.65011+:￥2.6701
10+:￥1.56
100+:￥0.6699
1000+:￥0.51
2000+:￥0.44
10000+:￥0.41
24000+:￥0.41
50000+:￥0.37
100000+:￥0.361+:￥5.1999
100+:￥2.26
250+:￥1.592000+:￥0.36
6000+:￥0.3101
10000+:￥0.32000+:￥0.3499
12000+:￥0.3301
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.65011+:￥2.6701
10+:￥1.56
100+:￥0.6699
1000+:￥0.51
2000+:￥0.44
10000+:￥0.41
24000+:￥0.41
50000+:￥0.37
100000+:￥0.36
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BS170-D26ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1:¥2.6894
10:¥2.0566
100:¥1.11418
1,000:¥0.83733
2,000:¥0.71416
10,000:¥0.66896
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		BS170_D26ZFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1+:￥3.5001
10+:￥2.53
25+:￥1.96
100+:￥1.4801
250+:￥1.05
500+:￥0.8399
1000+:￥0.65011+:￥2.6701
10+:￥1.56
100+:￥0.6699
1000+:￥0.51
2000+:￥0.44
10000+:￥0.41
24000+:￥0.41
50000+:￥0.37
100000+:￥0.361+:￥5.1999
100+:￥2.26
250+:￥1.592000+:￥0.36
6000+:￥0.3101
10000+:￥0.32000+:￥0.3499
12000+:￥0.33012000+:￥0.44
10000+:￥0.41
20000+:￥0.41+:￥0.391+:￥0.3101
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		BS170-D26ZON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道5+:￥0.65224
50+:￥0.486134
150+:￥0.455624
500+:￥0.425115
2500+:￥0.411555
5000+:￥0.404855
BS170_D26Z的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号