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BS170_D27Z /N-Channel 60 V 5 Ohm Through Hole Enhancement Mosfet - TO-92
BS170_D27Z的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：500mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：40pF @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：830mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

封装形式Package：TO-92

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：0.5A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商BS170_D27Z
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深圳市芯幂科技有限公司BS170_D27Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司BS170-D27Z深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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BS170_D27Z及相关型号的PDF资料
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BS170-D27ZMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field EffectON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.37 Mbytes共17页BS170-D27Z的PDF下载地址无
BS170_D27Z的全球分销商及价格
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立创商城		BS170-D27ZON(安森美)预售新品1+:￥1.3587
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