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BS170-D26Z /MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
BS170-D26Z的规格信息
BS170-D26Z的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:500 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:830 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:5.33 mm

长度:5.2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:BS170

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:4.19 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:0.32 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

零件号别名:BS170_D26Z

单位重量:286 mg

供应商BS170-D26Z
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BS170-D26ZMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field EffectON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.37 Mbytes共17页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170-D26Z连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO61.83 Kbytes共4页BS170-D26Z的PDF下载地址无
BS170-D26Z的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		BS170-D26ZON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3$0.43000
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Mouser 贸泽电子		BS170-D26ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect1:¥2.6894
10:¥2.0566
100:¥1.11418
1,000:¥0.83733
2,000:¥0.71416
10,000:¥0.66896
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立创商城		BS170-D26ZON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道5+:￥0.65224
50+:￥0.486134
150+:￥0.455624
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