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BLV33 /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLV33的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:15

集电极—发射极最大电压 VCEO:33 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:12.5 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:SOT-147

封装:Tray

工作频率:224 MHz

类型:RF Bipolar Power

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

最大直流电集电极电流:20 A

Pd-功率耗散:132 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors

供应商BLV33
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深圳市辉华拓展电子有限公司BLV33深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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BLV33的全球分销商及价格
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BLV33Advanced Semiconductor, Inc.射频(RF)双极晶体管 RF Transistor1:¥898.1014
10:¥824.109
25:¥739.585
50:¥655.061
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