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BLV10 /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLV10的规格信息
BLV10的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:10

集电极—发射极最大电压 VCEO:18 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:1.5 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:SOT-123

封装:Tray

工作频率:175 MHz

类型:RF Bipolar Power

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

增益带宽产品fT:950 MHz

最大直流电集电极电流:4 A

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors

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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BLV10Advanced Semiconductor, Inc.射频(RF)双极晶体管 RF Transistor1:¥484.092
10:¥403.41
25:¥363.069
50:¥322.728
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