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BLV20 /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLV20的规格信息
BLV20的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:10

集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:1 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:SOT-123

封装:Tray

工作频率:175 MHz

类型:RF Bipolar Power

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

最大直流电集电极电流:2.5 A

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors

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