晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：8GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益：10.5dB ~ 16dB

功率 - 最大值：580mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 30mA，8V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：80mA

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT323

供应商器件封装：PG-SOT323-3

最大直流集电极电流：80 mA

最大集电极-发射极电压：12 V

封装类型：SOT-323 (SC-70)

最大功率耗散：580 mW

最小直流电流增益：70

晶体管配置：单

最大集电极-基极电压：20 V

最大发射极-基极电压：2 V

最大工作频率：8 GHz

引脚数目：3

每片芯片元件数目：1

最高工作温度：+150 °C

长度：2mm

宽度：1.25mm

尺寸：2 x 1.25 x 0.8mm

高度：0.8mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs