晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：8GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益：19dB

功率 - 最大值：250mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 10mA，8V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：35mA

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT323

供应商器件封装：PG-SOT323-3

最大直流集电极电流：35 mA

最大集电极-发射极电压：12 V

封装类型：SOT-23

最大功率耗散：250 mW

最小直流电流增益：70

晶体管配置：单

最大集电极-基极电压：20 V

最大发射极-基极电压：2 V

引脚数目：3

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-65 °C

高度：0.9mm

宽度：1.3mm

最高工作温度：+150 °C

晶体管材料：Si

尺寸：2.9 x 1.3 x 0.9mm

长度：2.9mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs