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BFR193WE6327 /HIGH LINEARITY TRANSISTOR
BFR193WE6327的规格信息
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Series-

PackageBulk

Transistor TypeNPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V

Frequency - Transition8GHz

Noise Figure (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gain10.5dB ~ 16dB

Power - Max580mW

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V

Current - Collector (Ic) (Max)80mA

Operating Temperature150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseSC-70, SOT-323

Supplier Device PackagePG-SOT323-3

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