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BFR193E6327 / 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
BFR193E6327的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

晶体管类型:Bipolar

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:70

集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2 V

集电极连续电流:0.08 A

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

封装:Reel

最大直流电集电极电流:0.08 A

最小工作温度:- 65 C

工作频率:8000 MHz

Pd-功率耗散:580 mW

系列:BFR193

工厂包装数量:3000

零件号别名:BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056

供应商BFR193E6327
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TME Electronic Components		BFR193E6327Infineon Technologies AGTransistor: NPN; bipolar; 20V; 80mA; 580mW; SOT23250 : $0.104
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