FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 2.5mA
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7600pF @ 25V
功率耗散（最大值）：568W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 22.5A，10V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
供应商器件封装：SP1
封装/外壳：SP1
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs